Search results for "Bismuta selenīds"
showing 3 items of 13 documents
Daudzkomponentu, pseido-bināro BixTeySez, nanostrukturēto termoelektrisko materiālu sintēze
2016
Daudzkomponentu, pseido-bināro BixTeySez, nanostrukturēto termoelektrisko materiālu sintēze. Bicons R., zinātniskie vadītāji, asoc. prof. Dr. chem. Erts D., vadošā pētniece Dr. phys. Andžāne J. Bakalaura darbs, 35 lappuses, 25 attēli, 5 tabulas, 22 literatūras avoti, 2 pielikumi. Latviešu valodā. Darbā ir apkopota literatūra par bismuta selenīdu, to un daudzkomponentu, pseido-bināro BixTeySez savienojumu sintēzes metodēm. Stehiometriska bismuta selenīda un daudzkomponentu, pseido-bināro savienojumu sintēze tika balstīta uz Latvias Universitātes Ķīmiskās fizikas institūtā izstrādātas Bi2(Se, Te)3 nanostruktūru bezkatalizatora fizikālo tvaiku nogulsnēšanas sintēzes metodes. Optimizējot šo met…
Ar bismuta un atntimona halkogenīdu un CNT heterostruktūrām modificētu polimēru nanokompozītu izgatavošana, raksturošana un pielietojums termoelektri…
2019
Termoelektriski nanokompozīti, kas modificēti ar oglekļa nanocaurulītēm (CNT), ir pēdējos gados interesi izraisījis pētījumu lauks, galvenokārt saistībā ar to potenciālo pielietojumu elastīgu elektroierīču, tai skaitā termoelektrisko ierīču, ražošanā. Tomēr, salīdzinot neorganiskajiem termoelektriskajiem materiāliem, uz polimēriem bāzētas termoelektriskās ierīces ievērojami atpaliek termoelektriskajā efektivitātē. Šajā darbā uz polimēru bāzes veidoti nanokompozīti tika modificēti ar CNT, uz kurām uzsintezēts Bi2Se3 un Sb2Te3, plaši pielietoti n- un p-tipa pusvadītāji, kas piesaistījuši pētnieku uzmanību ar izcilām termoelektriskajām un topoloģisko dielektriķu īpašībām. Bi2Se3 un Sb2Te3 nano…
Ar antimonu un alvu leģētu Bi2Se3 plānu kārtiņu un nanovadu sintēze un īpašības
2018
Pēdējos gados augusi interese par materiāliem ar topoloģiskā izolatora (TI) īpašībām. TI ir tilpumā nevadoši, bet to virsmai piemīt metāliskas īpašības. Lielākā daļa TI ir labi termoelektriski (TE) materiāli istabas temperatūrā. Lai panāktu to, ka virsmas vadītspēja ir dominējoša, vajadzīgs nomākt tilpuma vadītspēju, kas rodas no defektiem. Pirmkārt, tilpuma vadītspēju var samazināt, samazinot vismaz vienu no TI struktūras dimensijām līdz nanoizmēram, kas būtiski palielina virsmas – tilpuma attiecību, kā arī veicot materiāla vakanču kompensējošu leģēšanu. Leģēšana var tikt izmantota arī materiālu TE īpašību uzlabošanai, tā optimizējot lādiņnesēju koncentrāciju un saglabājot to kustīgumu. Da…