Defektanalyse von a-C- und CNx-Schichten mittels Röntgen-Photoemissions-Elektronenmikroskopie (X-PEEM)Characterization of stoichiometric defects in diamond, a-C and CNx thin films with Soft X-ray photoelectron microscopy (X-PEEM)

Amorphe Kohlenstoff- und Kohlenstoffnitridschichten werden vielseitig als Schutzschichten in der Industrie verwandt. Insbesondere werden in der Magnetfestplattenspeicherindustrie verschleisfeste sauerstoffundurchlassige Schutzschichten von wenigen Nanometern Dicke benotigt. Rontgen-Photoemissions-Elektronenmikroskopie (X-PEEM) stellt eine Analysetechnik zur Charakterisierung u.a. von Kohlenstoffschutzschichten dar, da sich Informationen uber die lokale Bindungsumgebung aus der Rontgenabsorptions-Nahkantenstruktur (XANES) gewinnen lassen. CVD-DLC- sowie a-C- und CNx-Schichten wurden analysiert. Fur die a-C-Schichten auf Si (100) wurde der Anteil sp2-hybridisierter Atome bestimmt und mit den …