Atomu tranzistoru vienelektronu sūkņu modelēšana silīcija ierīcēm

2016

Darbā ir apkopoti autora veiktās teorētiskās modelēšanas rezultāti, kas ir uzkrāti 7. Ietvarprogrammas projekta „Silicon on Atomic and Molecular scale (SiAM)” ietvaros. Pētījuma objekts ir divi dažādi kvantu sūkņi, kuri katrs veidoti no diviem uz silīcija bāzes izgatavotiem viena atoma tranzistoriem. Virs P dopētā reģiona ir novietoti divi aizvara elektrodi, kas ļauj kontrolēt piejaukumu-pastarpinātas elektronu pārneses rezonanses enerģijas. Izmantotais modelis [1] tika pielietots elektronu pārsūknēšanas procesu modelēšanai 1. nanoierīcē. Ar modeļa palīdzību veiksmīgi tika reproducēti un detalizēti izprasti šī elektronu sūkņa neadibātiskie efekti. Ātras elektronu tunelēšanas gadījuma izpēte…