Änderungen der Gitterstruktur hochpolymerer Einkristalle durch Bestrahlung im Elektronenmikroskop

1965

Die durch Bestrahlung mit Elektronen von 40 bis 80 kV hervorgerufenen Anderungen der Gitterstruktur von Polyathylen(PA)- und Polyoxymethylen(POM)-Einkristallen wurden unterrsucht. Dazu wurden Lage, Intensitat und Linienbreite der Reflexe im Elektronenbeugungsdiagramm in Abhangigkeit von der Bestrahlungsdosis gemessen. Vergleichende Untersuchungen wurden an einem Paraffin (C28H58) durchgefuhrt. Aus den Anderungen der Linienbreite konnte geschlossen werden, das im Falle des PA durch die Vernetzung zwischen benachbarten Ketten Gitterstorungen II. Art (parakristalline Storungen) hervorgerufen werden. Sie fuhren auch zu einer betrachtlichen Aufewitung des Gitters. Im Falle des Paraffins dagegen …