Estudio de la fiabilidad de los dispositivos HEMT de GaN

2021

El presente trabajo de tesis en Ingeniería Electrónica tiene como objetivo el estudio de la fiabilidad de dispositivos HEMT (High Electron Mobility Transistor) de GaN (Gallium Nitride). Gracias a las ventajas teóricas en el uso de dispositivos GaN frente a dispositivos de Silicio y a la aparición de dispositivos GaN que mejoran las prestaciones de sus homónimos de Silicio, el siguiente paso, es el estudio de la fiabilidad que presentan estos dispositivos en la actualidad, con el objetivo de mejorarlos e investigar los límites actuales en determinadas aplicaciones de potencia. La investigación realizada en esta tesis se divide en tres partes claramente diferenciadas. La primera de ellas trat…