Composición, estructura interna y transporte electrónico de nanohilos individuales de In1-xGaxN e InN

2014

La posibilidad de sintonizar la banda prohibida de las aleaciones de In1-xGaxN desde el UV al IR variando x desde 0 a 1 es la base para potenciales aplicaciones de esta aleación como diodos emisores de luz (LEDs), del inglés “light emitting diodes”, diodos láser (LDs), del inglés “laser diodes” o células solares. Sin embargo, las inhomogeneidades en la composición y la segregación de fases, debido no sólo a la fata de sustratos con coeficientes de expansión térmica que se ajusten a los del InN y el GaN, sino también a la baja temperatura de disociación del InN comparada con la del GaN, dificulta el crecimiento de capas de alta calidad en todo el rango de composiciones. Con el objetivo de su…