6533b82efe1ef96bd12936a2
RESEARCH PRODUCT
Ultraplānu bismuta selenīda nanostruktūru iegūšanas metodes
Kristīne Biezāsubject
FIZIKĀLĀ TVAIKU NOGULSNĒŠANATERMISKĀS IZTVAICĒŠANAS METODEULTRAPLĀNAS NANOSTRUKTŪRASKODINĀŠANAS METODE AR ARGONA JONIEMBISMUTA SELENĪDSĶīmijadescription
Ultraplānu bismuta selenīda nanostruktūru iegūšanas metodes. Biezā K., zinātniskie vadītāji - asoc. prof., Dr. ķīm., Donāts Erts, Dr. Jana Andžāne, Maģistra darbs, 49 lappuses, 25 attēli, 9 tabulas, 30 literatūras avoti, 5 pielikumi. Latviešu valodā. Bismuta selenīds ir topoloģiskais izolators, tas ir materiāls, kura lielākā daļa tilpumā ir dielektriķis, toties ārējā virsma ir vadoša. Topoloģisko īpašību uzlabošanai un tālākam praktiskajam pielietojumam svarīgi iegūt plānas nanostruktūras ar biezumu zem 10 nm, kam, savukārt, ir liela praktiska nozīme topoloģisko izolatoru fundamentālajos pētījumos un materiāla pielietojumam kā termoelektriķim. Darbā pielietotas vairākas metodes, lai iegūtu gan plānas bismuta selenīda atsevišķas nanostruktūras gan plānus pārklājumus. Plānu individuālu nanostruktūru iegūšanai izmantotas sekojošas metodes: biezu nanovadu kodināšana ar argona joniem un termiskās iztvaicēšanas metode, kā arī nanostruktūru sintēze, pielietojot fizikālo tvaiku nogulsnēšanu uz stikla substrāta, uz kura iepriekš uznestas oglekļa nanocaurulītes. Ultrtaplāni pārklājumi tika iegūti gan kodinot biezus pārklājumus ar argona joniem, gan sintezēti uz vizlas, izmantojot modificētu fizikālo tvaiku nogulsnēšanas metodi.
| year | journal | country | edition | language |
|---|---|---|---|---|
| 2017-01-01 |