6533b82efe1ef96bd12940a6
RESEARCH PRODUCT
Pretestības un tranzistoru pusvadītāju nanovadu sensoru izveide gāzveida vielu analīzei
Ivita Bitesubject
Ķīmijadescription
Pretestības un tranzistoru pusvadītāju nanovadu sensoru izveide gāzveida vielu analīzei. Bite I., darba vadītājs Dr. Chem. Erts D. Bakalaura darbs, 44 lapas, 25 attēli, 1 tabulas, 41 literatūras avoti. Latviešu valodā. Darbā pētīti Bi2S3 nanovadi, kuru rādiuss ir 40 nm, kā arī Ge nanovadu elektrovadītspējas izmaiņas dažādos relatīvajos mitrumos un to izmantošanas iespējas sensoru veidošanā. Parādīts, ka atkarībā no relatīvā mitruma Bi2S3 nanovadiem n-tipa vadāmība var mainīties uz p-tipu un otrādi, kura varētu būt saistīta ar lādiņesēju līdzsvara koncentrācijām. Literatūras apskatā ir apkopota informācija par: nanovadu iegūšanas metodēm; nanovadu sensoru raksturlielumiem; nanovadu sensoru izveidi; gāzveida vielu sensoriem, kā arī par gaisa relatīvo mitrumu. GERMĀNIJS, BISMUTA SUFLĪDS, NANOVADI, GĀZVEIDA VIELU SENSORS, TRANZISTORS, REZISTORS.
year | journal | country | edition | language |
---|---|---|---|---|
2014-01-01 |