6533b836fe1ef96bd12a03e4

RESEARCH PRODUCT

Silīcija nitrīda dielektrisko pārklājumu fizikāli ķīmisko īpašību izmaiņas jonizējošā starojuma ietekmē

subject

description

Darbā ir pētīta paātrinātu elektronu un bremzējošā starojuma ietekme uz SiO2-Si3N4-SiO2 un Si3N4 kondensatora dielektrisko slāņu sintezētu uz Si pamatnes virsmas morfoloģiju un ķīmisko sastāvu, elektriskajām īpašībām – reālo kapacitāti, reālo un imagināro dielektrisko caurlaidība. SiO2-Si3N4-SiO2 un Si3N4 apstaroti ar paātrinātiem elektroniem un bremzējošo starojumu absorbēto dozu diapazonā no 3 līdz 30 kGy. Analizētie paraugi atkārtoti apstaroti ar paātrinātajiem elektroniem līdz 1400 kGy. Paraugu starošana veikta LU lineārajā elektronu paātrinātājā ELU-4. Paraugu ķīmiskā sastāva un virsmas reljefa analīze apstarotajiem un neapstarotajiem paraugiem veikta ar pilnīgas iekšējās atstarošanas Furjē transformācijas infrasarkano spektrometriju (ATR-FTIR), rentgendifraktometriju (XRD), Ramana spektrometriju. Virsmas morfoloģiskā struktūra analizēta ar atomspēku mikroskopijas (AFM) un elektrisko īpašību analīze veikta ar dielektriskās spektrometrijas metodi. Darbā novērtēta izvēlēto metožu piemērotība jonizējošā starojuma ietekmes analīzei. Iegūtie dati parāda, ka ATR-FTIR, AFM un Raman spektrometrijas metode ir piemērota pētītoSi3N4 un SiO2-Si3N4-SiO2 dielektrisko slāņu uz Si pamatnes starojuma ietekmes novērtēšanai. Ramana spektrometrijā, apstrādājot iegūtos rezultātus, ir iespējams secināt, ka Si3N4 dielektriķa struktūra ir amorfa. Si3N4 parauga ATR-FTIR spektros ir novērojamas jauna signāla novērošana ap 491 cm-1 apgabalā un kopējo signālu intensitāšu samazināšanos, tas norāda uz iespējamo ķīmisko saišu šķelšanos un struktūra defektu veidošanos jonizējošā starojuma ietekmē.