Search results for "NEGF"

showing 1 items of 1 documents

Simulation of electronic states in a nanowire field-effect transistor

2015

De acuerdo con la ley empírica de Moore, el número de transistores en un circuito integrado se ve duplicado aproximadamente cada dos años. Una vez traspasada la frontera hacia la escala nanométrica, estos dispositivos comienzan a padecer efectos adversos al funcionamiento deseable de un transistor, como la pérdida de integridad eléctrica, efectos debidos a la corta longitud del canal o la falta de reproducibilidad. Las nanoestructuras cristalinas semiconductoras conocidas como nanohilos están emergiendo como candidatos prometedores para formar una nueva base alternativa de los transistores de efecto campo y continuar la miniaturización tecnológica en la escala nanométrica. Esto es debido al…

NanowireUNESCO::CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos semiconductoresNWFETCoulomb blockadeEntropyTransistor:CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos semiconductores [UNESCO]NEGFStatistical operator
researchProduct