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Irradiated silicon detectors for HL-LHC: Characterization and simulations

2012

283 páginas. Tesis Doctoral del Departamento de Física Atómica, Molecular y Nuclear, de la Universidad de Valencia. Fecha de lectura: 18 julio 2012.

:FÍSICA::Física de altas energías [UNESCO]UNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores:FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores [UNESCO]High Energy Physics; ATLAS; Silicon Detectors; Radiation Damage;UNESCO::FÍSICA::Física de altas energíasHigh Energy PhysicsATLASDetectors and Experimental TechniquesRadiation DamageSilicon Detectors
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Bloque detector PET basado en cristales monolíticos y fotomultiplicadores de silicio

2017

La tomografía por emisión de positrones (PET) es una técnica de imagen médica, encuadrada en la medicina nuclear, consistente en la generación de imágenes a partir de la detección de radiación gamma resultante de la aniquilación de positrones, emitidos por un radiotrazador, con los electrones de tejidos circundantes. Las imágenes PET son de tipo funcional, lo que permite la observación y estudio de procesos fisiológicos, sin embargo, se ha probado que la integración de estos escáneres con otros sistemas de imagen médica que proporcionen imágenes de carácter anatómico mejora notablemente las prestaciones clínicas de ambos equipos. Este tipo de equipos multimodales se conocen como sistemas hí…

:MATEMÁTICAS::Análisis numérico::Construcción de algoritmos [UNESCO]UNESCO::CIENCIAS DE LA VIDA::Biofísica::Física médicaUNESCO::CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos semiconductoresUNESCO::CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos fotoeléctricosFotomultiplicadores de silicio:CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos semiconductores [UNESCO]:CIENCIAS MÉDICAS ::Medicina del trabajo::Medicina nuclear [UNESCO]Tomografía por emisión de positronesCristales centelleadores monolíticosUNESCO::CIENCIAS MÉDICAS ::Medicina del trabajo::Medicina nuclearUNESCO::MATEMÁTICAS::Análisis numérico::Construcción de algoritmos:CIENCIAS DE LA VIDA::Biofísica::Física médica [UNESCO]:CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos fotoeléctricos [UNESCO]
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Simulation of electronic states in a nanowire field-effect transistor

2015

De acuerdo con la ley empírica de Moore, el número de transistores en un circuito integrado se ve duplicado aproximadamente cada dos años. Una vez traspasada la frontera hacia la escala nanométrica, estos dispositivos comienzan a padecer efectos adversos al funcionamiento deseable de un transistor, como la pérdida de integridad eléctrica, efectos debidos a la corta longitud del canal o la falta de reproducibilidad. Las nanoestructuras cristalinas semiconductoras conocidas como nanohilos están emergiendo como candidatos prometedores para formar una nueva base alternativa de los transistores de efecto campo y continuar la miniaturización tecnológica en la escala nanométrica. Esto es debido al…

NanowireUNESCO::CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos semiconductoresNWFETCoulomb blockadeEntropyTransistor:CIENCIAS TECNOLÓGICAS::Tecnología electrónica ::Dispositivos semiconductores [UNESCO]NEGFStatistical operator
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Fabricación, caracterización estructural y óptica de capas plasmónicas y puntos cuánticos: aplicaciones

2013

En esta tesis se ha desarrollado una nueva metodología de síntesis química (sol-gel) para la fabricación in situ de nanocomposites metálicos en forma de capa delgada, compuestos por nanopartículas de Au y Ag embebidas en matrices dieléctricas sólidas de TiO2 y SiO2. Con dicha metodología se puede controlar el tamaño y el factor de llenado de las nanopartículas, que se han caracterizado mediante el uso de técnicas de microscopía electrónica (SEM, TEM, HAADF-STEM) y de caracterización de superficie (AFM). Además, se han empleado diversas técnicas para medir las propiedades ópticas de estas capas, como son la extinción, transmitancia y reflectancia, así como el índice de refracción por medio d…

UNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido::Semiconductores:FÍSICA::Física del estado sólido::Física del estado sólido. Espectroscopía de sólidos [UNESCO]puntos cuánticosnanocomposites:FÍSICA::Física del estado sólido::Semiconductores [UNESCO]UNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido::Física del estado sólido. Espectroscopía de sólidosnanopartículas
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Highly efficient light-emitting electrochemical cells

2016

El consumo eléctrico destinado a iluminación supone actualmente cerca del 20% de la producción energética a nivel mundial, de modo que es posible alcanzar un importante ahorro energético mediante el uso de sistemas de iluminación más eficientes. El desarrollo tecnológico permite hacer uso de aplicaciones más eficientes y novedosos en dicho campo. Los diodos orgánicos emisores de luz (OLEDs) suponen una alternativa de futuro a los dispositivos emisores de luz actuales. El procesado de materiales orgánicos se adapta más fácilmente a nuevos diseños de dispositivos emisores de luz y es, a día de hoy, una realidad en pequeñas pantallas para dispositivos móviles o similares. Sin embargo, los OLED…

UNESCO::QUÍMICApropiedades ópticas de materialesiluminación eléctricadispositivos semiconductores:QUÍMICA [UNESCO]transporte de electrones
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Efectos de los campos eléctrico y magnético sobre los estados electrónicos excitados en nanoestructuras cuánticas semiconductoras

2013

Las nanoestructuras cuánticas semiconductoras ofrecen un gran potencial en cuanto al diseño de nuevos materiales con propiedades ópticas novedosas. El confinamiento cuántico y la aplicación de campos eléctrico y magnético externos muestran una riqueza de efectos cuánticos cuya aplicación es en muchos casos desconocida. Es notable al respecto la gran cantidad de comprtamientos no lineales que muestran, por ejemplo, la energía excitónica, los tiempos de recombinación, el efecto túnel y la consiguiente extinción de la señal espectral de fotoluminiscencia en los semiconductores. Lo notable de los modelos, y que queda confirmado por los experimentos es la competición entre tres efectos presentes…

confinamientoUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores:FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores [UNESCO]Starksemicondcutorexcitónnanoestructura
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Crystal growth of functional materials by using CSVS and MOCVD:The AIIMnBVI and II-oxides case

2021

En esta tesis se presenta un estudio en profundidad del crecimiento cristalino y la caracterización de algunos materiales funcionales de la familia II-VI. Las propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas estudiadas se han correlacionado con la metodología y condiciones de crecimiento cristalino utilizadas. Entre la variedad de materiales II-VI, se han elegido 2 familias de semiconductores debido a sus propiedades singulares. El primero incluye los óxidos del grupo II, con elementos como el Zinc y el Cadmio, con una alta transparencia en el rango óptico visible. Estos compuestos se pueden usar en diversas aplicaciones en optoelectrónica, incluyendo su uso como óxidos conduct…

crecimiento cristalinoUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores:FÍSICA::Física del estado sólido ::Materiales compuestos [UNESCO]:FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores [UNESCO]compuesto ternario:FÍSICA::Física del estado sólido ::Estructura cristalina [UNESCO]crystal growthUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Materiales compuestosternary compoundUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Estructura cristalinaHeteroestructura de CdTe/CdOCdTe/CdO heterostructure
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Optical Properties of III-V Nanowires and Their Application for Charge Transport and Single-Photon Emission

2012

This work covers the optical characterization of III-V semiconductor nanowires and their application for charge transport and for single-photon emission. InAs nanowires have been investigated by Raman scattering and PL spectroscopy. The possibility to grow nanowires with a crystal structure different from its bulk counterpart has aroused a lot of interest in their optical and electronic properties. Here, the optical phonon modes of wurtzite InAs nanowires have been studied by polarized Raman scattering. For the first time, Raman measurements on a single InAs nanowire have revealed the A1(TO) and E2h optical phonon modes of the wurtzite structure. Additional resonant Raman scattering experim…

nanowires; photoluminescence; InAs; GaAs; Raman; SAW; surface acoustic waves; charge transportUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::SemiconductoresSAWGaAsPhysics::Opticssurface acoustic wavesCondensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effectcharge transportCondensed Matter::Materials SciencenanowiresInAs:FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores [UNESCO]photoluminescenceRaman
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Simulations of Piezoelectric, Electronic and Optical Properties of Nanowires

2016

Los nanohilos semiconductores han atraido un interés creciente debido a sus potenciales aplicaciones en electrónica, óptica y fotónica. Un amplio rango de dispositivos fotónicos y electrónicos basados en nanohilos han sido ya demostrados, incluyendo células solares, fotodetectores, diodos emisores de luz, y láseres. Para comprender las propiedades de los nanohilos es necesario conocer su estructura electrónica. Además, es importante conocer cómo estas propiedades dependen del tamaño, estructura cristalina y orientación, y cómo se ven afectadas por las deformaciones. El objetivo de esta tesis es desarrollar modelos teóricos realistas, pero manejables desde un punto de vista computacional, pa…

semiconductores nanoestructuras nanohilos estructura electrónica propiedades ópticas propiedades piezoeléctricasUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Estados electrónicosUNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores:FÍSICA::Física del estado sólido ::Propiedades ópticas [UNESCO]:FÍSICA::Física del estado sólido ::Semiconductores [UNESCO]:FÍSICA::Física del estado sólido ::Estados electrónicos [UNESCO]UNESCO::FÍSICA::Física del estado sólido ::Propiedades ópticas
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Polymorphism of rare-earth orthovanadates under high pressure

2022

Los ortovanadatos de tierras raras constituyen una familia paradigmática de óxidos ternarios, debido a sus llamativas propiedades y sus diferentes polimorfos. Una gran cantidad de sus diferentes fases pueden obtenerse sometiendo a estas estructuras cristalinas a condiciones de presión y temperatura extremas. En esta tesis se estudia el comportamiento de diferentes ortovanadatos (NdVO4, GdVO4, PrVO4 y TbVO4) bajo altas presiones y diferentes condiciones de temperatura. Varias muestras de estos compuestos han sido caracterizadas a través de diversas técnicas experimentales, entre las cuales se incluyen la difracción de rayos X (DRX), la dispersión Raman y la absorción óptica. Además de esto, …

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