0000000000335133
AUTHOR
Rolands Grants
Characterization of crystalline structure and morphology of Ga2O3 thin film grown by MOCVD technique
Growth of gallium oxide thin film was realized with MOCVD on (0001) sapphire substrate. Structural and compositional properties of thin film were studied employing trimethylgallium and water as precursors, carrier gases were H2 and N2. Obtained film is polycrystalline and predominantly consisted of (201) oriented β-Ga2O3. Sample exhibited blue luminescence which is attributed to oxygen vacancies. H2 gas proved to have beneficial effect on film quality and overall growth process.
Ātro ksenona jonu izraisītās struktūras un mikromehānisko īpašību izmaiņas LiF kristālos
Pētīta treku veidošanās LiF kristālos, kas apstaroti ar ātrajiem Xe joniem ar specifisko enerģiju 11,1 MeV uz nuklonu fluenču 107 -1010 joni/cm2 apgabalā, izmantojot dislokāciju kustīguma, atomspēka un optiskās mikroskopijas metodes. Dislokācijas un treki tika vizualizēti selektīvas ķīmiskās kodināšanas ceļā. Fluencei pārsniedzot 107 joni/cm2 tika novērota dislokāciju kustīguma samazināšanās uz apstarotās virsmas. Tika konstatēti pārtraukumi treku serdes struktūrā, kuri samazina treku efektivitāti dislokāciju bremzēšanā. Rezultāti analizēti, izmantojot Orovana modeli dislokāciju mijiedarbībai ar trekiem kā spēcīgiem šķēršļiem. Iegūtie rezultāti parāda dislokāciju kustīguma metodes priekšroc…