0000000001061962
AUTHOR
Artūrs Mozers
showing 2 related works from this author
III grupas nitrīdu plāno kārtiņu spektrālās īpašības
2008
Pusvadītājos, ievadot piemaisījumus, aizliegtajā zonā veidojas lokāli elektronu un caurumu stāvokļi. Šajā gadījumā elektroni un caurumi pēc ierosināšanas tiek saķerti uz donoru akceptoru piemaisījumiem. Pārejas starp šiem stāvokļiem raksturojas ar atšķirīgu spektrālo sastāvu. Pusvadītāju lokālo stāvokļu enerģētisko struktūru raksturo šo materiālu luminiscences spektrs. Darba uzdevums ir izpētīt leģēšanas ietekmi uz donoru un akceptoru stāvokļu veidošanos AlxGax-1N (0<x<0,40) plānās kārtiņās, kas audzētas uz GaN buferslāņa, tās leģējot ar silīciju(0,01%). Neleģētā Al0.39Ga0.61N novērotais fotoluminiscences spektrs liecina, ka elektronu pārejas notiek donoru akceptoru pāros. Leģētajā Al0.36Ga…
Rb atomu mijiedarbības ar lāzera starojumu ārējā magnētskā lauka klātbūtnē eksperimentāli pētījumi”
2016
Elektroniskā versija nesatur pielikumus