6533b85afe1ef96bd12b9ae9

RESEARCH PRODUCT

III grupas nitrīdu plāno kārtiņu spektrālās īpašības

Artūrs Mozers

subject

Fizika

description

Pusvadītājos, ievadot piemaisījumus, aizliegtajā zonā veidojas lokāli elektronu un caurumu stāvokļi. Šajā gadījumā elektroni un caurumi pēc ierosināšanas tiek saķerti uz donoru akceptoru piemaisījumiem. Pārejas starp šiem stāvokļiem raksturojas ar atšķirīgu spektrālo sastāvu. Pusvadītāju lokālo stāvokļu enerģētisko struktūru raksturo šo materiālu luminiscences spektrs. Darba uzdevums ir izpētīt leģēšanas ietekmi uz donoru un akceptoru stāvokļu veidošanos AlxGax-1N (0<x<0,40) plānās kārtiņās, kas audzētas uz GaN buferslāņa, tās leģējot ar silīciju(0,01%). Neleģētā Al0.39Ga0.61N novērotais fotoluminiscences spektrs liecina, ka elektronu pārejas notiek donoru akceptoru pāros. Leģētajā Al0.36Ga0.64N:Si novērotais fotoluminiscences spektrs liecina, ka Si katjoni ievieš jaunus akceptoru līmeņus.

https://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/17810