Search results for "Bi2Se3"
showing 7 items of 7 documents
Bismuta selenīda nanovadu integrēšana nanoelektromehāniskos slēdžos un to raksturošana
2022
Bi2Se3 nanovadu integrēšana nanoelektromeāniskās ierīcēs un to raksturošana. Dzene E., zinātniskie vadītāji Mg. Phys. Jasulaņeca L. un Dr. Chem. Erts D. Bakalaura darbs, 37 lappuses, 39 attēli, 35 literatūras avoti, 1 pielikums. Latviešu valodā. Darbs veltīts Bi2Se3 nanovadu sakārtošanai uz metāla elektrodiem, atsevišķu nanovadu elektriskajai raksturošanai, kā arī NEM slēdžu izveidei un to darbības demonstrēšanai kriogēnās temperatūrās. Veikta nanovadu sintēze, suspensijas pagatavošana, elektrodu izgatavošana un nanovadu sakārtošana uz elektrodiem ar mērķi izveidot nanoelektromehāniskus slēdžus. Izveidotajam slēdzim demonstrēta elektromehāniska pārslēgšanās kriogēnās temperatūrās.
Magnetotransport Studies of Encapsulated Topological Insulator Bi2Se3 Nanoribbons
2022
This research was funded by the Latvian Council of Science, project “Highly tunable surface state transport in topological insulator nanoribbons”, No. lzp-2020/2-0343, and by the European Union’s Horizon 2020 research and innovation program, Grant Agreement No. 766714/ HiTIMe. Institute of Solid-State Physics, University of Latvia as the Center of Excellence has received funding from the European Union’s Horizon 2020 Framework Programme H2020-WIDESPREAD-01-2016-2017-TeamingPhase2 under grant agreement No. 739508, project CAMART2.
Resonance assisted jump-in voltage reduction for electrostatically actuated nanobeam-based gateless NEM switches.
2019
Electrostatically actuated nanobeam-based electromechanical switches have shown promise for versatile novel applications, such as low power devices. However, their widespread use is restricted due to poor reliability resulting from high jump-in voltages. This article reports a new method for lowering the jump-in voltage by inducing mechanical oscillations in the active element during the switching ON process, reducing the jump-in voltage by more than three times. Ge0.91Sn0.09 alloy and Bi2Se3 nanowire-based nanoelectromechanical switches were constructed in situ to demonstrate the operation principles and advantages of the proposed method.
High-pressure studies of topological insulators Bi2Se3, Bi2Te3, and Sb2Te3
2013
Bi2Se3, Bi2Te3, and Sb2Te3 are narrow bandgap semiconductors with tetradymite crystal structure (R-3m) which have been extensively studied along with their alloys due to their promising operation as thermoelectric materials in the temperature range between 300 and 500¿K. Studies on these layered semiconductors have increased tremendously in the last years since they have been recently predicted and demonstrated to behave as 3D topological insulators. In particular, a number of high-pressure studies have been done in the recent years in these materials. In this work we summarize the main results of the high-pressure studies performed in this family of semiconductors to date. In particular, w…
Bi2Se3 Nanostructured Thin Films as Perspective Anodes for Aqueous Rechargeable Lithium-Ion Batteries
2022
This research was funded by the European Regional Development Fund Project (ERDF) No. 1.1.1.1/19/A/139. Y.R. acknowledges the support of post-doctoral ERDF project No. 1.1.1.2/VIAA/4/20/694. V.L. also acknowledges the support of “Strengthening of the capacity of doctoral studies at the University of Latvia within the framework of the new doctoral model”, identification No. 8.2.2.0/20/I/006. A.S. acknowledges the support from the Institute of Solid State Physics, University of Latvia, which, as the Center of Excellence, has received funding from the European Union’s Horizon 2020 Framework Programme H2020-WIDESPREAD-01-2016-2017-TeamingPhase2 under grant agreement No. 739508, project CAMART2.
Pusvadītāju nanovadu īpašības un pielietojumi nanoelektromehāniskās sistēmās
2019
Nanovadi ir viendimensionāli nanomateriāli ar rādiusu nanometros un garumu mikrometros. Nanovadi ir vēlamas komponentes nanoelektromehāniskās (NEM) ierīcēs, piemēram, slēdžos. Šajās ierīces nanovadi kalpo kā aktīvie elementi, kas, mehāniski pārslēdzoties, spēj pārslēgt elektriskās ķēdes, tāpēc ir svarīgas nanovadu mehāniskās un elektriskās īpašības. Darbā tika pētīti CuO, GeSn un Bi2Se3 nanovadi ar mērķi tos pielietot NEM ierīcēs. Tika veikta CuO nanovadu sintēze ar termiskās oksidācijas metodi. Izanalizēta dažādu sintēzes parametru, piemēram, ūdens tvaika un elektriskā lauka, ietekme uz nanovadu morfoloģiju. Tika izpētītas CuO nanovadu mehāniskās īpašības. GeSn nanovadu Junga modulis tika …
CuO un Bi2Se3 nanovadu ar kontrolētām īpašībām iegūšana pielietojumiem nanoierīču aktīvajos elementos
2021
Pusvadītāju nanovadi ir perspektīvi materiāli pielietojumiem nanoelektromehāniskās (NEM) ierīcēs. Lai nanovadi būtu piemēroti industriāliem pielietojumiem, nepieciešams izstrādāt tādas sintēzes metodes, kas nodrošinātu paredzamu iznākumu, morfoloģiju, elektriskās un mehāniskās īpašības sintezētajiem nanovadiem. Lai nodrošinātu NEM slēdžu darbību ekstrēmos apstākļos, nepieciešams iegūt plašā temperatūru diapazonā pielietojamus nanovadus. Pielietojumiem istabas temperatūrā tika pētīti CuO un ar Sn dopēti Ge nanovadi. CuO nanovadi tika sintezēti ar pārveidotu termiskās oksidācijas metodi. Tika izpētīts, kā, papildinot termisko oksidāciju ar elektrisko lauku un ūdens tvaiku klātbūtni, iespējams…