Search results for "GeSn"
showing 2 items of 2 documents
Resonance assisted jump-in voltage reduction for electrostatically actuated nanobeam-based gateless NEM switches.
2019
Electrostatically actuated nanobeam-based electromechanical switches have shown promise for versatile novel applications, such as low power devices. However, their widespread use is restricted due to poor reliability resulting from high jump-in voltages. This article reports a new method for lowering the jump-in voltage by inducing mechanical oscillations in the active element during the switching ON process, reducing the jump-in voltage by more than three times. Ge0.91Sn0.09 alloy and Bi2Se3 nanowire-based nanoelectromechanical switches were constructed in situ to demonstrate the operation principles and advantages of the proposed method.
Pusvadītāju nanovadu īpašības un pielietojumi nanoelektromehāniskās sistēmās
2019
Nanovadi ir viendimensionāli nanomateriāli ar rādiusu nanometros un garumu mikrometros. Nanovadi ir vēlamas komponentes nanoelektromehāniskās (NEM) ierīcēs, piemēram, slēdžos. Šajās ierīces nanovadi kalpo kā aktīvie elementi, kas, mehāniski pārslēdzoties, spēj pārslēgt elektriskās ķēdes, tāpēc ir svarīgas nanovadu mehāniskās un elektriskās īpašības. Darbā tika pētīti CuO, GeSn un Bi2Se3 nanovadi ar mērķi tos pielietot NEM ierīcēs. Tika veikta CuO nanovadu sintēze ar termiskās oksidācijas metodi. Izanalizēta dažādu sintēzes parametru, piemēram, ūdens tvaika un elektriskā lauka, ietekme uz nanovadu morfoloģiju. Tika izpētītas CuO nanovadu mehāniskās īpašības. GeSn nanovadu Junga modulis tika …