Search results for "NANOSTRUKTŪRAS"
showing 4 items of 4 documents
Fotoluminiscences atkarība no temperatūras 1D ZnO nanostruktūrām ar dažādām uzbūves īpašībām
2018
Tika pētītas 1D ZnO nanošķiedras ar dažādiem biezumiem. 1D ZnO nanostruktūras fotoluminiscence tika mērīta no 77 K līdz istabas temperatūrai. Emisijas spektra analīze un galveno parametru (aktivācijas enerģijas, temperatūras koeficienti u.t.t.) aprēķins. 1D ZnO aizliegtā zona tika pētīta ar optisko spektroskopiju. Tika veikta korelācija starp optiskajām un uzbūves īpašībām.
Ultraplānu bismuta selenīda nanostruktūru iegūšanas metodes
2017
Ultraplānu bismuta selenīda nanostruktūru iegūšanas metodes. Biezā K., zinātniskie vadītāji - asoc. prof., Dr. ķīm., Donāts Erts, Dr. Jana Andžāne, Maģistra darbs, 49 lappuses, 25 attēli, 9 tabulas, 30 literatūras avoti, 5 pielikumi. Latviešu valodā. Bismuta selenīds ir topoloģiskais izolators, tas ir materiāls, kura lielākā daļa tilpumā ir dielektriķis, toties ārējā virsma ir vadoša. Topoloģisko īpašību uzlabošanai un tālākam praktiskajam pielietojumam svarīgi iegūt plānas nanostruktūras ar biezumu zem 10 nm, kam, savukārt, ir liela praktiska nozīme topoloģisko izolatoru fundamentālajos pētījumos un materiāla pielietojumam kā termoelektriķim. Darbā pielietotas vairākas metodes, lai iegūtu …
Eu jonu saturošu luminiscento pārklājumu iegūšana ar plazmas elektroķīmisko oksidācijas metodi
2015
Eu jonu saturošu luminiscento pārklājumu iegūšana ar plazmas elektroķīmisko oksidācijas metodi. Krūmiņa A., zinātniskie vadītāji Dr. ķīm., doc. Vaivars G., Dr. fiz. Šmits K. Maģistra darbs, 60 lappuses, 35 attēli, 3 tabulas, 36 literatūras avoti, 3 pielikumi. Latviešu valodā. ALUMĪNIJA ELEKTROĶĪMISKA APSTRĀDE, LUMINISCENCE, PEO, NANOSTRUKTŪRAS Darbā tiek pētītas Eu(III) jonu saturošu luminiscento pārklājumu iegūšana ar PEO metodi. Pirms PEO procesa alumīnija plāksnītēm tiek veikta elektroķīmiska apstrāde, izmantojot bipolāras strāvas impulsu ģeneratoru.
Ar antimonu un alvu leģētu Bi2Se3 plānu kārtiņu un nanovadu sintēze un īpašības
2018
Pēdējos gados augusi interese par materiāliem ar topoloģiskā izolatora (TI) īpašībām. TI ir tilpumā nevadoši, bet to virsmai piemīt metāliskas īpašības. Lielākā daļa TI ir labi termoelektriski (TE) materiāli istabas temperatūrā. Lai panāktu to, ka virsmas vadītspēja ir dominējoša, vajadzīgs nomākt tilpuma vadītspēju, kas rodas no defektiem. Pirmkārt, tilpuma vadītspēju var samazināt, samazinot vismaz vienu no TI struktūras dimensijām līdz nanoizmēram, kas būtiski palielina virsmas – tilpuma attiecību, kā arī veicot materiāla vakanču kompensējošu leģēšanu. Leģēšana var tikt izmantota arī materiālu TE īpašību uzlabošanai, tā optimizējot lādiņnesēju koncentrāciju un saglabājot to kustīgumu. Da…