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N. Costa
Plasmonic modes in molybdenum ultra-thin films suitable for hydrogenated amorphous silicon thin film solar cells
We have recently demonstrated that molybdenum ultra-thin films interposed between hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and SnO2:F transparent conductive oxide (TCO) in thin film solar cells show light trapping effects which enhance the solar cells performances. The effect of this improvement may be attributed to surface plasmon polariton (SPP) modes excited at the molybdenum interface by the solar radiation. In this paper we show direct evidence of such SPP modes in the case of the molybdenum/air interface by using the attenuated total reflection (ATR) technique, pioneered by Kretschmann, and we evaluate the dielectric constant of molybdenum at 660 nm. (C) 2013 The Authors. Published by …
MODELLO IDROGEOLOGICO DEL CORPO IDRICO “FIUMARA DI CARONIA” (SICILIA SETTENTRIONALE)
L’Osservatorio delle acque del Dipartimento dell’Acqua e dei Rifiuti (DAR) della Regione Siciliana e l’Istituto Nazionale di Geofisica e Vulcanologia - Sezione di Palermo hanno attivato un accordo di collaborazione che prevede l’effettuazione di attività finalizzate alla redazione del “Piano di gestione delle Acque” della Regione Siciliana per numerosi bacini idrogeologici del territorio siciliano attraverso la definizione di modelli concettuali da sviluppare, previo approfondimento del quadro conoscitivo esistente, con l’effettuazione di indagini geologiche, idrogeologiche, geofisiche, idrogeochimiche ed isotopiche. In questo contesto, è stato analizzato il corpo idrico sotterraneo della f…
Plasmonic effects of ultra-thin Mo films on hydrogenated amorphous Si photovoltaic cells
We report on the improvement of short circuit current (JSC), fill factor (FF), and open circuit resistance (ROC) in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) photovoltaic cells with a p-type/intrinsic/n-type structure, achieved by the addition of an ultra-thin molybdenum film between the p-type film and the transparent conductive oxide/glass substrate. For suitable conditions, improvements of ≈10% in average internal quantum efficiency and up to 5%–10% under standard illumination in JSC, FF, and ROC are observed. These are attributed to the excitation of surface plasmon polariton modes of the a-Si:H/Mo interface.